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国产芯片新突破 中微刻蚀机投产

国产芯片新突破 中微刻蚀机投产

  • 发布时间:2021-03-17 10:27
  • 来源:大公网
  • 作者:贺鹏飞
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国产芯片新突破 中微刻蚀机投产

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  • 作者:贺鹏飞
  • 来源:大公网
  • 发布时间:2021-03-17 10:27
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图:中微公司新推出的刻蚀设备Primo Twin-StarR以更低的生产成本带来更高的输出效率。   受访者供图

 

【大公报讯】记者贺鹏飞报道:中国半导体芯片设备龙头企业中微公司16日宣布新一代电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-StarR已交付客户投入生产。和国内外同类设备相比,这一刻蚀设备能以更小的佔地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案。

光刻机、刻蚀机和MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)设备被并称为半导体工艺三大关键设备。目前中国在光刻机领域严重落后,但在刻蚀机和MOCVD设备领域已跻身国际先进水平,并在全球市场佔有一席之地。

其中,中微公司开发的等离子体刻蚀设备已被广泛应用於国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用。同时,中微公司开发的用於LED和功率器件外延片生产的MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)设备已在客户生产线上投入量产,并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场佔据领先地位。

更小佔地面积 更高输出效率

本次中微公司发布的Primo Twin-StarR创新使用双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计,创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应,通过採用多区温控静电吸盘(ESC)增强了对关键尺寸均匀性和重複性的控制。

与其他同类设备相比,新产品以更小的佔地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用於功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。

 

 

 

 

 

来源:大公网

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